物料技术参数：
| 产地类别 | 国产 |
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磁光克尔(MOKE)效应测量系统
当一线偏振光线被吸引力导电介质反射面层后，反射面层光的偏振面比于入射光的偏振面一 个小的想法偏转（克尔转动角），这样迹象被叫做磁光克尔效果。之后这样效果被来用作用料磁特质的实验。磁光克尔效果測量方法操作程序是1套精准度度測量方法克尔转动角的程序。磁光克尔效果測量方法操作程序是对极向克尔效果和横纵向克尔效果克尔偏圆楼梯精准度度測量方法的程序，不使该主设备变为研究分析剩磁聚酰亚胺膜磁优点的的在测量机器。范围广的使用于剩磁奈米水平、剩磁聚酰亚胺膜等磁学方面。
磁光克尔因素估测软件以脉冲激光作泛光灯，考虑到供试品磁光克尔相应的吸引力预警具体来源于于光点光照的板块，所以磁光克尔相应估测系统软件更具稳定的局域性，必须要实当今廊坊可耐电器有限公司板块内村料磁基本特征的论述。最后以偏振激光器束最为“电极”，所以对供试品不懂从而造成丝毫伤害，实现目标对供试品的无损格式估测，这针对于必须要最多次估测的供试品在老有利的。
磁光克尔相互作用测试整体极具*的灵活度，对克尔回转角的观测表面粗糙度可达到到±0.001度。这点儿使该生产设备在吸引力薄膜和珍珠棉磁基本特性的探析中包括核心的地方。采取铁芯电磁波特色小吃生外部磁感线，能够能提供高达mg25KOe的加上磁场强度。
磁光克尔(MOKE)效应测量系统
磁光克尔效应测量系统、磁性测量系统、MOKE system、微米区域克尔磁光效应测量系统、磁滞回线测量装置
苏州昊量光电子设配有限集团公司集团公司的磁光克尔预估整体最主要的可分为之下几大类：
① 极向精确在检测磁光克尔相互作用精确在检测的设备（MOKE磁滞回线精确在检测软件系统）
象征物料是BH-810系列作品。BH-810CPC25WF12磁光克尔相互作用(MOKE)预估机械是这之中的哪款，首要是对12屏幕尺寸的立式磁登记媒质磁基本特征的预估。就能够明确的监测介绍每台监测点的磁滞回线，该物料用途408nm的固态物离子束器，亮斑长度为1mm，上加电场可达到了25KOe。
② 向在在线预估磁光克尔相应在在线预估设配（MOKE磁滞回线在在线预估体统）
意味的产品BH-618类型。BH-618SK-CA12是一种款自动式自动估测晶圆磁的特点和各向情人的磁光克尔自动估测系统。就可以对12寸的晶圆开展几平400个不相同点的磁滞回线的自动估测，以及检测最终以激光散斑的类型表明。
③ 微空间磁光克尔边际效应测定系統（m-kerr system）（极向+横纵向，MOKE磁滞回线测定软件）
代表人类产品为BH-920题材。与前同价位成品相对比， BH-920型号得到更小的激光手术黑斑，能够对2um空间区域内的磁性来研究探讨。BH-P920-NH是可展开极向的微部分磁光克尔不确定性预估软件系统，该机器更具*的快速度多达到0.001°。与BH-P920-NH相对BH-PI920确实具同一的探测系统准确度度有时候具有特征开始极向和纵向设计衡量。
磁光克尔(MOKE)效应测量系统
u 最主要的性能
- 高耐热性
- 利润低
- 高灵活度（0.001°）
- 高维持性
- 高加带磁场强度（25KOe）
u 其主要适用
带磁納米技术性、带磁聚酯薄膜，带磁涂料等磁学各个领域
u 自动测量内容
磁滞回线 | X轴：外部电场构造 H |
Y轴：克尔选转角 qk | |
能够 磁滞回线可荣获的规格 | 矫顽力 Hc |
各向异形场 Hk | |
内禀矫顽力 Hn | |
饱和电磁场刚度 Hs | |
累计磁化抗拉强度 qr | |
达到饱和状态磁化挠度 qs |
u 新产品最主要的规格：
货品应用 性能指标 | BH-PI920全系列 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
服务特性 | 微行政区域測量体系可做到横面/极向測量 | 极向微区域中克尔衡量配置，享有高迟钝度 | 微区域划分估测系统化可满足了竖向/极向估测，兼有较高的准确度度 | 极向磁光克尔相互作用检测的，对PMRpet薄膜晶圆的磁性检测 | 纵向设计磁光克尔估测平台，可通过向下磁滞回线的估测 |
激光器LED光源 | 半导体技术激光束器（405nm） | 半导体芯片皮秒激光器（408nm） | 半导体设备激光机器器（405nm） | ||
亮斑外径 | 横项估测 约 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1´2mm |
极向检测的 约 2mm [1/e2] | |||||
发现敏锐度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
发现使用范围 | ± 1° | ||||
再加上人体磁场比强度 | 极向磁体 >±10kOe | >±10kOe | 极向电场 >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面内电场 >±10kOe | 面内电磁场 >±1T | ||||
可测土样面积 | 5´5´1tmm~10´10´1tmm | 5´5~10´10mm t：0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |
上海市徐汇区虹梅路2007号6号楼3楼
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